双极晶体管直流特征的测量的实验

一、实验室名称： 微电子器件实验室
二、实验项目名称：双极晶体管直线DC特征的测量
三、实验学时：3
四、实验原理：
如下图所示，晶体管特征图示仪提供Vce的锯齿波扫描电压（V）和Ib的阶梯改变，而且两者一一对应，便产生Ib从Ib0、Ib1、Ib2等Vce从零到最大值的弯弯曲线族。从而测量晶体管的直线DC特性。


五、实验目的：
掌控把握晶体管特征图示仪的作业原理。并能熟练地运用其对双极晶体管的直线DC特性实行测量试验。
六、实验内容：
a. 反向漏电流（A）和反向击穿电压（V）的测量试验
b. 写入阻抗的测量试验
c. 电流（A）增益的测量试验
d. 饱和压降的测量试验
e. 正常管与失效管输出特性弯弯曲线对比

七、实验器件材料（设备、元件）：
晶体管特征图示仪，3DG6，3AG6双极晶体管

八、实验步骤：
a. 开启电源，预热5分钟，调动"辉度"、"聚焦"、"辅助聚焦"使显露清晰。
b. 识别晶体管的管脚，及用万用表检验。按照实验方法实行测量试验。
c.测量试验完成后，将"峰值电压（V）"调回零。

九、实验数值及成果解析：

样品 功能数值	3AG6		3DG6
	测量试验条件	测量试验成果	测量试验条件	测量试验成果
Icbo	Vcb=10V	18uA	Vcb=20V	0.5uA
Iebo	Veb=1V	30uA	Veb=10V	0.4uA
Iceo	Vce=10V	48uA	Vce=10V	0.4 uA
Vebo	Ib=-100uA	8V	Ib=10mA	7V
Vcbo	Ic=100uA	26V	Ic=10mA	75V
Vceo	Ic=100uA	14V	Ic=10mA	63V
Hie	Ib=50 uA Vce=5V	14KW	Ib=1mA Vce=2V	17KW
Hfe	Ic=2mA Vce=5V	56	Ic=0.2A Vce=2V	80
Vbes	Ic=10Ib	12V	Ic=10Ib	8V

十、实验结论：
经过测量试验，可以知道：高频小功率（W）NPN晶体管与大功率（W）PNP晶体管对比，增益较大，漏电流（A）较小, 指标较高。3DG6晶体管的一致性良好，3AG6功率（W）管的指标一致性有待改进，这与工序技艺水平密切相关。

十一、总结及心得体会：
双极晶体管是一种重要的半导体器件，在各种电子设备中得到非常广泛的应用。因而对其直线DC特性的测量与掌控把握，是设计和使用双极晶体管的基础。本实验的使我掌控把握了晶体管特性图示仪测量双极晶体管直线DC特性的原理和使用方法，理解了双极晶体管的基础功能数值和作业原理。

十二、对本实验过程及方法、手段的改进建议：
（1） 建议多加探针台，在线测量试验芯片中的器件；
（2） 建议多加温度（℃）控制设备，测量温度（℃）对器件的影响。